大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月，注册资本8503万元，位于辽宁省大连市高新技术产业园区，是一家由海外归国团队创立的半导体国家级高新技术企业。采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，开展以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料和电子器件的研发与产业化。
        公司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域，公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品，主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。在微波射频领域，公司已进行硅基氮化镓外延材料的开发，射频芯片的研发与产业化准备工作亦已展开，产品定位为10GHz以下的射频通讯和射频能量市场。