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润新微电子(大连)有限公司从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及功率器件的研发、设计、生产和销售,已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片和各种规格功率器件的量产,功率器件电源功率的应用范围范围低至30W,高至6KW。
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“ 第三代半导体供应商 ”
RUNXIN MICROELECTRONICS
润新微电子(大连)有限公司
第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售
“ 第三代半导体供应商 ”
RUNXIN MICROELECTRONICS
润新微电子(大连)有限公司
第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售
“ 第三代半导体供应商 ”
RUNXIN MICROELECTRONICS
润新微电子(大连)
有限公司
第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售
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ABOUT US
企业简介
润新微电子(大连)有限公司是华润微电子旗下,专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业。前身大连芯冠科技有限公司,由海外归国团队2016年3月17日创立于大连高新区。润新微电子产品主要应用于电源管理、太阳能逆变器、新能源汽车及高端电机驱动等科技产业。
企业简介
大事记
2022年
与华润微电子达成协议
更名为润新微电子(大连…
2021年
获得战略投资
2020年
650伏硅基氮化镓功率器件正式投放市场
开发出3…
2019年
1月:ISO9001认证
3月:通过1000小时HTRB测试<…
2018年
11月:荣获国家级高新技术企业称号
12月:第二…
2017年
4月:外延材料投产
12月:第一代650V器件出样
2016年
3月:大连芯冠科技有限公司成立
11月:国内首…
2022
润新微电子(大连)有限公司成立
1
第三代半导体供应商
PRODUCT
产品及技术
氮化镓 (GaN) 外延片
■ 控制生长条件实现优异的二维电子气
■ 利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流
■ 原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能,提高器件可靠性
■ 控制生长条件实现的高均匀性和重复性
氮化镓 (GaN) 功率器件
■ 技术成熟度高
■ 栅压安全区间大
■ 类MOS,应用简单
■ 易实现市场化
氮化镓 (GaN) 电源设计
■ 与硅驱动方案兼容
■ 更高的电压,更好的导电能力
■ 更小的体积,更好的温度控制
■ 更高的效率,更低的能耗
■ 抗辐照等特殊应用
氮化镓 (GaN) 外延片
Epitaxial wafer
氮化镓 (GaN) 功率器件
Electronic device
氮化镓 (GaN) 电源设计
Power design
大连:purchase@runxinmicro.com
深圳:szmarket@runxinmicro.com
技术支持:
润新微电子(大连)有限公司:
0411-39056676
采购咨询:
芯冠应用科技(深圳)有限公司:
0755-86563524