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硅基氮化镓外延片

l 硅基氮化镓外延片优点


n   精确控制生长条件实现优异的二维电子气

n   利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏電流

n   原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能,提高器件可靠性

n   精确控制生长条件实现的高均匀性和重复性



  l 外延结构



                        Power GaN外延结构                                                   RF GaN外延结构


  l 主要参数


Parameters

AlGaN HEMT

(Power)

AlN HEMT

(RF)

Comments

Substrate

6” Si (111)

Customizable  to 4”

Epi ThickAvg

2-5 um

VBD > 1 kV for power

Epi ThickUnif

< 3%

 

Bow

+/- 45 um

 

Cracking

< 5 mm

 

HEMT Barrier

xAl = 0.25-0.35

AlN

Customizable

Barrier Thickness

20-30 nm

4-6 nm

Customizable

In-situ SiN Cap

5-60 nm

~5 nm

Customizable

2-DEG Density

~1013 cm-2

~1.8 x 1013 cm-2

 

Mobility

> 1800 cm2/Vs

> 1100 cm2/Vs

 

Rsh

< 400 ohm/sq

< 330 ohm/sq



  l 外延数据




        电力电子用硅基GaN外延垂直方向击穿电压大于1000伏,同时具有优异的均匀性和极低的漏电流密度!





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