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功率及化合物半导体论坛:新兴市场应用带动产业增长

2018-03-21

      从以硅为代表的第一代半导体开始,到以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体,再到以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)宽禁带材料为代表的第三代半导体,功率及化合物半导体对人类社会和科技影响越来越巨大,应用涵盖半导体照明、激光、显示、移动通讯、消费电子、绿色能源、现代交通等方方面面。在移动通讯、消费电子、新能源汽车、发电与配电等领域,功率半导体器件不可或缺,正发挥着越来越重要的作用。这将是未来功率半导体行业的新增长动力和发展机遇。

为响应产业需求,SEMI中国整合旗下资源,在SEMICON China 2018展会期间重磅推出功率及化合物半导体论坛315-16日,为期两天的功率及化合物半导体论坛上,来自海内外的业内专家齐聚一堂,围绕“LED及光电宽禁带电力电子化合物半导体及通讯新型功率器件四个主题版块,展开热烈探讨与分享。


  


氮化镓晶体管如何赋予摩尔定律新生?大幅提高功率电子效率及密度GaN的新技术;氮化镓VCSEL的最新进展及其潜在应用;新型碳化硅MOSFET产品与其应用介绍;电气化汽车电力电子的先进功率模块…… 从最前沿的新材料、技术研发趋势的分析,到新能源汽车、智能化等新兴热门应用,产业界各个细分领域的产业专家和企业资深专业人士在两天的论坛中展开思想碰撞,共同开拓新的市场机遇,推动技术更上一层楼。


宽禁带电力电子主题板块,我公司技术副总裁王博士做了题为“从实验室向产线进阶的硅基氮化镓射频与电力电子”的演讲。王博士在演讲中表示,氮化镓材料的优异性能带来了电子器件在高工作电压、高工作频率、高工作温度等方面巨大的技术优势,在射频和电力电子领域有广泛的应用。在射频方面,传统LDMOS已无法满足5G无线通讯的需求,硅基氮化镓器件兼顾高性能与低成本,主要应用于对成本比较敏感的有线电视、射频能量和无线通讯等方面。在电力电子方面,硅基氮化镓横向器件主要应用于1200伏以下的电压范围和几十千瓦及以下的功率范围,开关频率在100 kHzMHz之间,在接下来5年的主要市场增长点为电源管理、新能源汽车和服务器电源。挑战与机遇并存,硅基氮化镓器件产业面临进一步提升性价比、完善器件可靠性评价体系和提高下游企业对新产品熟悉程度的压力。针对目前市场上不同技术路线和不同封装形式,王博士认为级联式器件结构和TO/SMD等主流封装形式与传统硅器件极为相似,升级换代技术门槛低,更易实现产业化。芯冠科技推出的第一代650伏和900伏硅基氮化镓功率器件产品,在器件耐压水平、漏电流、动态导通电阻、产品良率等各项性能指标上比肩国际先进水平,实现了产品性能、生产成本和可靠性的重新平衡。王博士最后指出硅基氮化镓的时代已真正开启,并呼吁国内的同行企业应以务实的态度开放合作、共同推动市场增长、做大做强中国的第三代半导体产业。


王博士的演讲得到了会议参与者的热烈反响,大家普遍认为王博士对硅基氮化镓器件的市场定位准确,对器件的技术特点和市场化过程中遇到的问题分析精辟,对硅基氮化镓在中国的产业化具有指导意义。

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