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氮化镓优势


                                                                                             

GaN材料优势:

 

GaN/Si器件优势:

n  宽禁带

 

n  高功率密度

n  高击穿电场

 

n  电流密度

n  高热导率

 

n  高击穿电压

n  高饱和电子迁移率

 

n  高工作频率

n  耐高温

 

n  特殊应用环境

n  抗辐射

 

n  成本低,易于产业化

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