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应用领域

l 电力电子器件


 

                  POWER SUPPLY         ELECTRIC AUTOMOBILE    NEW ENERGY INVERTER           MOTOR DRIVE


       氮化镓材料的优异特性,使其可以工作在更高频率下,显著减小电源尺寸,并获得更高的效率,因此其成为替代硅器件的理想选择。主要应用领域包括AC/DCDC/DCDC/AC等多种交直流变换器,覆盖开关电源、电动汽车、新能源逆变器、电机驱动等多种应用领域。


l 射频器件



       氮化镓射频器件替代LDMOS,可实现更高频率、更高效率的射频功率放大。相比于碳化硅基氮化镓器件,硅基氮化镓器件具有低成本、易实现大尺寸量产的优势,主要应用于10 GHz以下射频通讯、射频能量领域。



Devices

Frequency

Power

Cost

LDMOS

< 3 GHz

Medium

Low

GaAs HBT

10s GHz

Low

Medium

GaN-on-SiC

100 GHz

High

High

GaN-on-Si

10s GHz

Medium high

Low, as LDMOS

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