大连芯冠科技有限公司从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及功率器件的研发、设计、生产和销售,已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片和各种规格功率器件的量产,功率器件电源功率的应用范围范围低至30W,高至6KW。
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氮化镓 (GaN) 外延片
氮化镓(GaN)外延片
芯冠科技提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品,致力于推动电能转换革命!
■ 控制生长条件实现优异的二维电子气
■ 利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流
■ 原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能,提高器件可靠性
■ 控制生长条件实现的高均匀性和重复性
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